【Technews科技新报】全球存储器市场需求持续不减，国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在 NAND Flash 方面，宣布中国西安开始第 2 期的建设工程，DRAM 上也有意在韩国平泽（Pyeongtaek）厂大幅生产。而另一家韩国大厂 SK 海力士，除了生产 NAND Flash 的 M15 厂预期在 2019 年正式营运之外，在 DRAM 部分也斥资 86 亿美元，将在中国无锡兴建第 2 期厂房。 继续阅读..
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美光财报、财测优，氮气供应受阻恐让本季 DRAM 生产缩 |
| 作者 moneydj|发布日期 2018 年 03 月 23 日 |分类 存储 , 财经 , 零组件 |
美国存储器大厂美光科技（Micron Technology Inc.）于 22 日美国股市盘后公布 2018 会计年度第二季（截至 2018 年 3 月 1 日为止）财报：营收年增 58%（季增 8.1%）至 73.51 亿美元，优于 2 月 5 日发布的上修后预估区间中间值（72.75 亿美元）；非一般公认会计原则（Non-GAAP）每股稀释盈余年增 213%（季增15%）至 2.82 美元，优于公司发布的上修预估区间（2.70-2.75 美元）。根据 Thomson Reuters I/B/E/S 的调查，分析师原先预期美光第二季营收、Non-GAAP 每股稀释盈余各为 72.8 亿美元、2.74 美元。 继续阅读..
三星确认兴建平泽新工厂，投资 30 万亿韩元生产 DARM 及 NAND Flash |
| 作者 Atkinson|发布日期 2018 年 03 月 02 日 |分类 Samsung , 国际贸易 , 存储 |
【Technews科技新报】根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大 DRAM、NAND Flash 快闪存储器的产能。之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出，三星电子将召开管理委员会议，决定是否兴建第 2 座芯片厂，并于农历新年后宣布决定。报导指出，总投资额可能约为 30 万亿韩元（约 27.6 亿美元）。
