业界首见 QLC NAND SSD 开始出货,美光盘后持续大涨

作者 | 发布日期 2018 年 05 月 22 日 11:00 | 分类 存储 , 零组件
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美光科技(Micron Technology Inc.)、英特尔(Intel Corporation)5 月 21 日宣布,业界首见的 4 bits/cell 3D NAND 技术开始投产、出货。



利用通过考验的 64 层结构,新的 4 bits/cell NAND 技术让每颗晶粒的密度达到 1 terabit(Tb),成为世界上密度最高的快闪存储器。

英特尔非挥发性存储器技术开发副总裁 RV Giridhar 指出,1Tb 4 bits/cell 的商用化是非挥发性存储器(NVM)历史上一项重大的里程碑。

美光 21 日同时宣布,业界首见采用革命性 QLC(四级单元)NAND 技术的 SSD(5210 ION)开始对战略支持合作伙伴和客户出货、预计今年秋季将会扩大供货。美光指出,QLC NAND 较现有 TLC(三级单元)NAND 的位密度高出 33%。

道琼工业平均指数暨费城半导体指数成分股英特尔 5 月 21 日上涨 1.53%、收 54.32 美元,盘后续涨 0.17% 至 54.41 美元。今年迄今英特尔最高收盘纪录出现在 5 月 10 日(54.98 美元)。

费城半导体指数成分股美光 5 月 21 日上涨 3.91%、收 55.48 美元,涨幅居 30 支成分股之冠;今年迄今上涨 34.92%,涨幅同样居 30 支成分股之首。

美光 21 日盘后续涨 3.46% 至 57.40 美元,5 月 22 日若以此作收,将创 3 月 22 日以来新高。美光 5 月 21 日于法说会上宣布,2019 会计年度起至少会将 50% 的自由现金流量归还给股东。此外,美光董事会授权视市况动用 100 亿美元买回在外流通的普通股。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:美光

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