海力士 72 层 3D NAND 内存,传 2017 年领先全球量产

作者 | 发布日期 2016 年 12 月 26 日 15:00 | 分类 芯片 , 零组件
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SK 海力士最先进 72 层 3D NAND 内存传明年开始量产,韩联社 26 日引述知情人事消息报导指出,海力士计划于 2017 上半年完成芯片设计,位在利川(Icheon)的 M14 厂将可在下半年开始生产。



若按计划进行,海力士将成为全球第一个量产 72 层 3D NAND 的内存厂。为顺应市场需求增温,海力士上周已宣布将在韩国与中国两地,投资 3.15 万亿韩元来增加 DRAM 与 NAND 内存产能。

随着微缩制程遭遇瓶颈,业者纷纷改以 3D 垂直方式堆叠内存做突破,但制程技术各不相同。目前技术领先的三星已于 2013 年量产 48 层 3D NAND 内存,至于 64 层 3D NAND 芯片也将在今年底开始投产。

据市调机构 DRAMeXchange 统计,三星第三季 NAND 内存营收来到 37.44 亿美元,市占率较前季进步 0.3 个百分点至 36.6%。东芝以 19.6% 位居第二,Western Digital、海力士与美光分居三、四、五名,市占率依序为 17.1%、10.4% 与 9.8%。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:SK Hynix

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