Category Archives: 存储

中国团队设计出新型态光敏感性半导体存储器,具有 SoP 面板的应用潜力

作者 |发布日期 2017 年 12 月 31 日 |分类 存储 , 尖端科技 , 材料

【Technews科技新报】近日有研究团队基于原子级薄度的半导体设计出一种存储器,除了具有良好的性能,也可以在完全不需要电力辅助的情况下,用光线就能消除储存资料,团队认为这种新的存储器在系统整合型面板(System on Panel)上,具有十分大的应用潜力。
继续阅读..

三星存储器之神坐上CEO大位,SK 海力士发信吁员工备战

作者 |发布日期 2017 年 12 月 23 日 |分类 Samsung , 存储

三星电子去年历经一连串的风波,从旗舰手机 Galaxy Note 7 电池爆炸回收事件,到少主李在镕牵扯进韩国的政治丑闻,副会长暨CEO权五铉临危受命手握实权,却在 10 月投出请辞震撼弹,理由是三星应找年轻接班人突破营运瓶颈,现在三星采取 3 位共同CEO的管理结构,其中原半导体部门总裁金奇南却让对手备感威胁。 继续阅读..

因应高效能运算需求,英特尔推出新款可重复编程芯片

作者 |发布日期 2017 年 12 月 23 日 |分类 存储 , 芯片 , 计算机

【Technews科技新报】半导体大厂英特尔(Intel)于 21 日宣布,推出业界首款采用整合式高频宽存储器 DRAM(HBM2)的可重复编程的芯片(FPGA)──Stratix 10 MX FPGA。该产品可通过整合 HBM2 提供 10 倍于独立 DDR 存储器解决方案的存储器频宽。而凭借强大频宽功能,Stratix 10 MX FPGA 将可用做高性能运算(HPC)、数据中心、网络功能虚拟化(NFV)等许多基本的功能加速器,使得这些需要应用到硬件加速器的部分,能提升大规模资料移动和资料管道框架的速度。

继续阅读..

联电推出 40 纳米 SST 嵌入式快闪存储器制程,东芝 MCU 评估采用

作者 |发布日期 2017 年 12 月 21 日 |分类 国际贸易 , 存储 , 芯片

【Technews科技新报】晶圆代工厂联电 21 日宣布,推出 40 纳米结合 Silicon Storage Technology(SST)嵌入式 Super Flash 非挥发性的存储器制程平台。而新推出的 40 纳米 SST 嵌入式快闪存储,较当前量产的 55 纳米制程在单元尺寸上减少逾 20% ,并使整体存储器面积缩小 20% 到 30%。目前,日本半导体大厂东芝电子元件暨储存产品公司已开始评估其微处理器(MCU)芯片于联电 40 纳米 SST 技术制程平台的适用性。

继续阅读..