发改委与三星签 MOU 砍 DRAM 价?中媒:这是误会

作者 | 发布日期 2018 年 02 月 08 日 15:15 | 分类 存储 , 芯片
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【Technews科技新报】近年来,DRAM 供货吃紧,价格居高不下,在去年底,就传出国家发改委曾约谈三星,关注储存芯片价格问题。



在近日,又有双方签署 MOU 的消息,市场预期将可能抑制 DRAM 价格。集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出,内存价格涨势延续超过 6 季上扬,造成许多中国手机厂不堪成本压力,因而引来政府关注,将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制。而目前三星是全球最大的存储器芯片厂商,有近 48% 的全球市占率。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出,中国的存储器市场不管是内需或外销,都已越来越重要,目前供货商在生产移动内存的获利已远低于其他类别产品,而第一季智能手机需求也很低迷,预期未来价格涨幅将受抑制。且为应对中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满,对供货商而言,成本下降不易的考虑下,扩张产能的可能性将大增。

MOU 无关价格

不过来自于《集微网》的消息指出,曾向政府举报高通垄断的手机中国联盟秘书长王艳辉表示,近期发改委与三星签署的 MOU 无关价格问题,是高技术局与三星之间有关半导体领域的相关技术合作,及扩大在中国投资等议题,而非价监局的手笔。的确价监局曾经就 DRAM 涨价一事约谈过三星,但现在尚不能确定会对三星采取何种措施,如果三星被确认参与价格操纵,那发改委同样很可能会进行处罚。

目前市场分析认为,今年新增的 DRAM 产能,还无法跟上市场需求,尤其是物联网和高速运算应用,都需要高速内存芯片支持,无论是 DRAM 或 NAND Flash 今年在供货松绑且需求不减的情况下,可望进一步推升出货量,预计相关业者营收还是相当稳健。。

台湾工研院产业趋势中心也认为,今年虚拟货币挖矿业者也加入扫货,服务器需求仍然强劲下,预估今年全球 DRAM 产值会再成长 23%,虽然涨幅不如去年,但主要供应商增产仍有节制,预计平均销售单价仍会上扬近 32%,年产值达 900 亿美元,将续创新高。

不过 DRAMeXchange 也指出,由于三星、东芝、英特尔、长江存储等都大力扩展 NAND Flash 所以未来产能效应将转趋明显,尤其 3D-NAND Flash 产能将可能翻倍,恐怕在 2019 年就会出现供过于求的状况。

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黄 敬哲

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