三星宣布推出 2 代 HBM2 显示存储器,比前一代整体效能提高 50%

作者 | 发布日期 2018 年 01 月 11 日 18:55 | 分类 Samsung , 存储 , 零组件
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【Technews科技新报】韩国科技大厂三星 11 日宣布,已经开始量产目前市场资料传输速度最快的第 2 代 8GB 高频宽显示存储器(HBM2)。该款称之为 Aquabolt 第 2 代高频宽显示存储器,是目前首款可提供每接脚 2.4Gbps 资料传输速度的 HBM2 产品。




根据三星的介绍,新推出的 Aquabolt 提供最高等级的 DRAM 性能,具 1.2V 电压下每个接脚 2.4Gbps 传输速度,这性能相较前一代 8GB HBM2 封装,每个封装的性能提升近 50%。三星第一代 8GB HBM2 接脚速度是分别在电压 1.2V 及电压 1.35V 情况下,有 1.6Gbps 和 2.0Gbps 的传输速度。

三星强调,第 2 代单个 8GB HBM2 封装将提供每秒 307GBps 资料频宽,比提供 32GBps 频宽的 8Gb GDDR5 存储器资料传输速度快 9.6 倍。而且,系统的 4 个新 HBM2 封装将达成每秒 1.2TBps 频宽,与使用 1.6Gbps HBM2 的系统相比,将使总体系统性能提高多达 50%。

据了解,Aquabolt 中采用三星以 TSV 设计和热控制有关的新技术。一个 8GB HBM2 封装是由 8 个 8Gb HBM2 存储器组成,每个存储器使用 5,000 多个硅穿孔进行垂直互连。虽然使用如此多 TSV 可能会导致并行偏移,但三星目前成功将偏移降至最低,并显著增强了存储器性能。

最后,三星还增强了 HBM2 存储器之间的热凸点数量,这使每个封装的热控制能力更强。新的 HBM2 底部还有一个附加保护层,用以增加封装的整体物理强度。三星表示,目前将和其他合作伙伴以最快的速度供应 Aquabolt 给市场。

(首图来源:三星)

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