为 NAND 架构闹翻?英特尔、美光将分手,研发各走各的路

作者 | 发布日期 2018 年 01 月 09 日 14:20 | 分类 存储 , 芯片 , 零组件
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英特尔(Intel)和美光(Micron)合作研发 NAND Flash 多年,8 日宣布准备拆伙,将在完成第三代 3D NAND 研发之后,正式分道扬镳。



Anandtech、Barronˋs 报导,英特尔和美光 12 年前成立合资公司 IM Flash Technologies,发展 NAND。英特尔资助研发成本,并可分享 NAND 销售收益。不过两家公司 NAND 策略迥异,英特尔的 NAND 几乎全用于企业市场的固态硬盘(SSD)。美光除了销售 SSD、也供应 NAND Flash 芯片。

目前两家公司的 3D NAND 制程,进入第二代,可堆叠 64 层,正在研发第三代,预料可堆叠 96 层,预计在 2018 年底、2019 年初问世。此一制程之后,英特尔和美光将各走各的路。

Anandtech 猜测,也许是 NAND 堆叠层数破百之后,需要调整 String Stacking 的堆叠方式,两家公司对此看法不同,因而分手。另一个可能是,目前 3D NAND 的生产主流是电荷储存式(Charge trap) ,三星电子等都采用此一方式,英特尔/美光是唯一采用浮闸(floating gate)架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构,但是此举等于坦承失败,代表从 2D NAND 转换成 3D NAND 后,续用浮闸是错误决定,因而闹翻。

值得注意的是,两家公司仍会继续共同研发 3D XPoint 存储器,此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:科技新报)

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