三星拼半导体战力升级,4 年拟砸逾 20 万亿韩元

作者 | 发布日期 2018 年 01 月 04 日 16:01 | 分类 Samsung , 存储 , 芯片
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三星看好半导体景气持续往上走,2 日宣布未来 4 年将砸下逾 20 万亿韩元,或相当于 190 亿美元投资旗下半导体事业。



三星两年前耗资 15.6 万亿韩元在韩国平泽市打造新存储器厂,新厂当日才刚正式投产,三星已计划 2021 年内再额外投入 14.4 万亿韩元(约 125 亿美元)扩厂。(美联社)

三星还计划投资位于华城的存储器园区 6 万亿韩元。与此同时,三星也考虑增加中国西安半导体厂的产能。

IHS Markit 数据显示,2017 年全球 DRAM 产值跳增 72%,来到 722 亿美元,2018 年预估将进一步扩增至 844 亿美元,年增率达 16.9%。(Koreaherald.com)

NAND 快闪存储器 2017 年成长 46.2%、成为 538 亿美元,今年预估扩增至 592 亿美元。产业资讯显示,3D NAND 快闪存储器占三星快闪存储器出货比重,2017 年第四季已超过八成,今年底预估将超越九成。(businesskorea.com)

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)

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