Intel 10 纳米制程将优先生产 3D NAND Flash

作者 | 发布日期 2017 年 09 月 27 日 19:25 | 分类 国际贸易 , 存储 , 芯片
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【Technews科技新报】之前,芯片大厂英特尔(Intel)在中国举行的“尖端制造大会”,正式展示了由最新 10 纳米制程技术生产的晶圆,并表示 10 纳米制程技术生产的 Cannon Lake 处理器将在 2017 年底前量产,使玩家都引颈期待。但现在有消息透露,首批进入市场的 Intel 10 纳米制程技术产品,不会是大家期待的 CPU,而是目前市场价格高涨的 NAND Flash 快闪存储器。




根据业界人士透露,Intel 计划在自家最新 64 层 3D NAND Flash 快闪存储器使用最新 10 纳米制程技术。至于,为何在 3D NAND Flash 先用新制程,很可能是因为 NAND Flash 的结构相对简单,基本上就是大量同类电晶体堆积,相较之下,CPU 处理器的架构就复杂多了。使用新制程技术生产,复杂性也是关系成功与否的重要风险之一,这也是 Intel 在 14 纳米制程、10 纳米制程屡屡延后推出的一项主要因素。

照 Intel 的说法,10 纳米制程技术使用 FinFET(鳍式场效应电晶体)、Hyper Scaling(超缩微)技术,可将电晶体密度提升 2.7 倍,结果自然可以大大缩小芯片面积,对 NAND Flash 快闪存储器的设计来说,当然能大大提升容量。

不过,目前还不清楚 Intel 的 10 纳米制程 NAND Flash 具体生产情况为何,但可以确认,未来该批产品会首先用于数据中心市场,等成本下降后,再推广到消费等级市场。

(首图来源:Flickr/stargazer2020 CC BY 2.0)

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Atkinson

多年在财经媒体的工作资历,深入理解电子与科技产业的发展过程与趋势,亦曾经在电子媒体制作相关财经节目,为观众剖析当前最即时的财经资讯与新闻。
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