联电:自主研发 DRAM 计划不变,明年 Q4 完成首阶段开发

作者 | 发布日期 2017 年 09 月 25 日 9:30 | 分类 存储 , 财经
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联电遭存储器大厂美光指控妨碍营业秘密,对此,联电共同总经理简山杰表示,对司法程序进行中的案件不应多言,但联电一向以保护知识产权著称,也禁止员工不得使用其它公司营业机密公司;他强调,自主研发 DRAM 的计划不会因此而改变,预计明年第四季完成第一阶段的技术研发;另外,展望公司未来发展蓝图,追求获利成长仍为首要目标。



简山杰甫于今年 6 月走马上任,对于因美光指控窃密而遭起诉一事,他指出,对司法程序进行中的案件不应多言,不过,联电极有可能是遇到“商业间谍”,高度怀疑涉案员工“带枪投靠”是假的,可能“构陷入罪”才是真的,意图妨碍联电 DRAM 研发计划,不过,联电坚持自主研发 DRAM 的计划不会改变,预计将会依计划在明年第四季完成第一阶段技术开发。

而展望联电未来发展蓝图,简山杰表示,联电过去专注于先进制程投资与研发,不过,新的方向是以追求获利成长为首要目标,不会再跟同业竞争先进制程。而联电也已订下有短中长期计划,短期为专注核心技术和提升营运效率,快速改善体质与提升获利;中期目标为扩大市占,而长期目标仍是开发新技术。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:科技新报)

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