英特尔发布 10 纳米制程,强调效能领先台积电与三星

作者 | 发布日期 2017 年 09 月 19 日 11:32 | 分类 芯片 , 财经 , 零组件
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【Technews科技新报】随着在晶圆代工领域的竞争对手台积电与三星,均已陆续进入 10 纳米制程技术领域。因此,半导体大厂英特尔 (intel) 也不甘示弱,在 19 日于中国北京所举办的尖端制造大会上,正式公布了自家的 10 纳米制程技术,以及全球首次对外展示的 10 纳米的晶圆。intel 还宣布,将在接下来的技术大会上,除了介绍了自家的 10 纳米制程技术之外,同时也将与竞争对手,也就是台积电以及三星的 10 纳米制程技术进行比较。




会议上,Intel 高级院士,制程架构总监 Mark T.Bohr 发布了 Intel 的 10 纳米制程技术。Mark T.Bohr 表示,与台积电和三星等竞争对手的对比,可以看到 Intel 的 10 纳米制程技术在鳍片的间距,以及栅极间距均低于台积电与三星,而且最小金属间距更是大幅领先其竞争对手。


另外,从而在最终的逻辑电晶体密度参数上面,Intel 的 10 纳米制程技术能够达到每平方毫米 1 亿电晶体,而台积电为 4,800 万,三星为 5,160 万,也就是说 Intel 的 10 纳米制程技术电晶体密度是台积电的 2 倍还多。

另外,在英特尔执行副总裁 Stacy J.Smith 讲解完 Intel 未来战略演讲后,Smith 还向全世界首次展示了以最新 10 纳米制程技术所打造的晶圆,这也是未来 Cannon Lake CPU 的最基础的部分。可以说这个 10 纳米的晶圆是全球首次展示。虽然,Intel 表示自家的 10 纳米制程技术还将会领先竞争对手很多,而且未来还有 10 纳米 + 以及 10 纳米 ++ 制程技术。

不过,在目前 Intel 还没有对最新的 10 纳米制程技术发布更多的技术资讯情况下,相关的状况仍无法完全确认。不过,intel 已经表示,将会在 2017 年底前正式投产 10 纳米制程技术的处理器。

(首图来源:Flickr/Pascal Volk cc by 2.0)

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Atkinson

多年在财经媒体的工作资历,深入理解电子与科技产业的发展过程与趋势,亦曾经在电子媒体制作相关财经节目,为观众剖析当前最即时的财经资讯与新闻。
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