三星抢用 EUV,宣称 7 纳米明年下半投产

作者 | 发布日期 2017 年 09 月 12 日 11:10 | 分类 Samsung , 芯片
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三星电子力拼晶圆代工业务,宣称 7 纳米制程将采极紫外光微影(EUV)技术,预计 2018 年下半投产。



Tomˋs HardwareTechReport 报导,三星率先使用 EUV 研发 7 纳米制程,目前进展一如预期,将在 2018 年下半投产。三星导入 EUV 的时间比对手提早两年。

三星同时表示,2014 年开始测试 EUV,已用新技术处理了 20 万片晶圆,而且该公司使用 EUV 技术生产 256Mb SRAM,良率高达 80%。

三星强打 EUV,突显自身技术先进。但是 Tomˋs Hardware 表示,微影已经成了宣传伎俩,不少人唱衰三星的 7 纳米可能会像英特尔(Intel)的 10 纳米一样命运多舛,迟迟无法问世。尽管三星宣称 EUV 生产的 SRAM 良率高,但是三星并未说明是多少纳米制程,而且 SRAM 电路也比微处理器更单纯。

不管如何,EUV 是制程微缩的关键技术,不能掉以轻心。三星 9 月 15 日将在日本举办晶圆论坛,究竟该公司是否掌握 EUV 技术,届时可能有更多讯息。

三星电子垂涎晶圆代工市场,力拼踢掉联电,晋身晶圆代工二哥。眼看当前半导体市况热翻天,该公司决定提前兴建韩国华城的 18 号线,提高竞争力抢单。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:三星

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