三星新 V-NAND 存储器,容量 1Tb

作者 | 发布日期 2017 年 08 月 09 日 17:10 | 分类 Samsung , 存储 , 芯片
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三星电子 NAND Flash 技术再升级,9 日宣布研发出容量达 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,预计明年问世。



Pulse、ZDNet、韩联社报导,三星研发 1Tb 的 V-NAND 芯片(即垂直堆叠的 3D NAND),容量是当前最大存储器 512Gb(gigabit)的两倍。三星将结合 16 个 1Tb 的 die,构成一组 V-NAND 组,每组存储器容量可达 2TB(terabyte)。三星宣称,该技术是过去 10 年来存储器的最大进展之一。

1Tb 相当于 126GB,能够储存 60 部两小时的高画质电影。三星表示,许多产业发展人工智能和物联网,数据密集的应用程序大增,Flash 存储器扮演关键角色,可以加快资料抽取速度,以供即时分析。

不只如此,三星也秀出 NGSFF 固态硬盘(Next Generation Small Form Factor SSD),将取代当前的 M.2 SSD 规格。三星表示 NGSFF 容量为前代的 4 倍,将于今年第四季量产。

三星 2016 年发布 Z-SSD 技术,现在首度发布采用此一技术的 SZ985 固态硬盘,宣称可用于数据中心和企业系统,处理大数据分析等数据密集作业。Z-SSD 读取延迟时间为 15 微秒,大约是 NVME 固态硬盘的七分之一。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:三星

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