巨量转移技术待突破,2018 年“类 Micro LED”产品先问世

作者 | 发布日期 2017 年 07 月 20 日 14:05 | 分类 光电科技 , 零组件
light-coloring-1903652_960_720

Micro LED 制造成本居高不下,影响商用化进程,原因在于关键的巨量转移技术瓶颈仍待突破。TrendForce LED 研究(LEDinside)最新“Micro LED 转移技术与检测维修技术分析报告”显示,目前全球厂商积极布局转移制程,但考量每小时产出量(UPH)、良率及晶粒大小(<100µm)尚无法达到商品化的水准,厂家纷纷寻求晶粒大小约 150µm 的“类 Micro LED”解决方案,预计 2018 年“类 Micro LED”显示与投影模组产品将率先问世,待巨量转移制程稳定后再朝向 Micro LED 规格产品迈进。



Micro LED 巨量转移技术面临七大挑战

LEDinside 研究副理杨富宝表示,Micro LED 制程目前面临相当多的技术挑战,在四大关键技术中,转移技术是最困难的关键制程,必须突破的瓶颈包括设备的精密度、转移良率、转移时间、制程技术、检测方式、可重工性及加工成本。由于涉及的产业横跨 LED、半导体、面板上下游供应链,举凡芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异,使得技术门槛提高,而异业间的沟通整合也拉长研发时程。

Micro LED 量产不易,良率须达 5 个标准差以上

LEDinside 以工业制程 6 个标准差评估 Micro LED 量产可行性,转移制程良率须达到 4 个标准差等级,才有机会商品化,但加工及维修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化产品,并达成具有竞争力的加工成本,其转移良率至少要达到 5 个标准差以上。

厂商布局转移技术,Micro LED 先应用在室内显示屏幕及穿戴设备

尽管巨量转移仍待技术突破,LEDinside 指出,目前全球已有多家厂商投入转移技术的研发,如 LuxVue、eLux、VueReal、X-Celeprint、法国研究机构 CEA-Leti、Sony 及冲电气工业(OKI);中国台湾地区则有錼创、工研院、Mikro Mesa 及台积电。但厂商在选择转移技术时会依不同应用产品而定,并考量设备投资、每小时产出量(UPH)及加工成本等因素,而各厂商的制程能力及良率控制,也是影响产品开发的关键。

以现有的发展状况看来,LEDinside 认为室内显示屏幕、智能手表和智能手环将会是首先应用 Micro LED 的产品。由于转移技术的难度甚高,各应用产品所需求的像素多寡不同,投入的厂商多半先以既有的外延焊接设备(Wafer Bonding)来做研发,或选择像素数量较少的应用产品为目标,以缩短开发时间。也有厂商直接转向研发薄膜转移(Thin Film Transfer)技术,但因设备须另外设计及调整,必须投入更多资源与时间,可能产生更多制程问题。

(首图来源:Pixabay

如需获取更多资讯,请关注微信公众账号:Technews科技新报

LEDinside

LEDinside 是一个专业的LED(发光二极体)全球产业资讯平台与研究机构,每日提供全球LED产业消息、相关数 据、情报、资料、LED应用、价格与买卖资讯等等,同时也提供LED产业分析评论、LED产业访谈与丰富的LED行业知识库。 想了解更多关于LEDinside的资讯,请参观 www.ledinside.cn
未经许可,任何媒体、网站或个人不得复制、转载、或以其他方式使用本网站的内容,违者必究。
关键字: ,

直接使用新浪微博发表评论

 

发表评论