DRAM 掰掰,次世代内存换 MRAM、PRAM 当家?

作者 | 发布日期 2016 年 07 月 11 日 15:20 | 分类 存储 , 芯片 , 零组件
SK-Hynix

DRAM 发展快到尽头,磁性内存(MRAM)和相变内存(PRAM)是最有潜力的接班人?IBM 和三星电子最近宣称,“自旋传输磁性内存(STT-MRAM)”的研究出现突破,有望加速走上商用之途。



韩媒 BusinessKorea 11 日报导,IBM 和三星在电机电子工程师学会(IEEE)发布研究论文宣称,两家公司携手研发的 STT-MRAM 的生产技术,成功实现 10 奈秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构,理论上表现超越 DRAM。

STT-MRAM 藉着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流,表现效能和价格竞争力都优于 DRAM。最重要的是,DRAM 很难微缩至 10 纳米以下,STT-MRAM 则没有此一困扰。业界人士表示,STT-MRAM 是次世代内存中最实际的替代方案,95% 的现行 DRAM 产设备皆可用于制造 STT-MRAM。IBM 和三星之外,SK 海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)也协力研发此一技术。

除了 STT-MRAM,近来相变内存(PRAM)也备受瞩目,英特尔的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技术。PRMA 结合 DRAM 和 NAND Flash 优点,速度和耐用性提高 1 千倍,不过目前仍在理论阶段。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载)

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